硅(gui)-藍(lan)(lan)晶石(shi)(shi)由多(duo)晶硅(gui)耐(nai)壓(ya)體化學元素(su)分為(wei)，沒造(zao)成遲滯、強度和金屬(shu)疲勞現像；藍(lan)(lan)晶石(shi)(shi)有(you)(you)了至關好的(de)延展能(neng)力(li)和耐(nai)壓(ya)功能(neng)（1000℃時間內），對(dui)氣(qi)溫轉變(bian) 不特別比(bi)(bi)較敏(min)(min)感度，縱然在常(chang)溫前提(ti)條(tiao)件(jian)下，也會(hui)有(you)(you)了非常(chang)好的(de)事業功能(neng)；藍(lan)(lan)晶石(shi)(shi)的(de)抗反射(she)功能(neng)極大(da)；其次，硅(gui)-藍(lan)(lan)晶石(shi)(shi)半導體行(xing)業特別比(bi)(bi)較敏(min)(min)感度元器件(jian)封裝，無p-n漂(piao)移(yi)，對(dui)此，可采用于繁多(duo)簡(jian)化環(huan)境領(ling)域。傳(chuan)紅外感應(ying)器器由雙膜(mo)(mo)片分為(wei)：鈦(tai)和金在線量測(ce)膜(mo)(mo)片和鈦(tai)和金接(jie)(jie)受膜(mo)(mo)片。印刷(shua)制(zhi)版(ban)有(you)(you)異質(zhi)外加性(xing)應(ying)力(li)靈敏(min)(min)性(xing)電橋(qiao)控(kong)制(zhi)電路原(yuan)理(li)的(de)藍(lan)(lan)晶石(shi)(shi)膜(mo)(mo)片，被熔焊在鈦(tai)和金在線量測(ce)膜(mo)(mo)片上。被測(ce)壓(ya)強傳(chuan)送數據到接(jie)(jie)受膜(mo)(mo)片上。在壓(ya)強的(de)功用下，鈦(tai)和金接(jie)(jie)受膜(mo)(mo)片引發(fa)塑性(xing)變(bian)形，該塑性(xing)變(bian)形被硅(gui)-藍(lan)(lan)晶石(shi)(shi)特別比(bi)(bi)較敏(min)(min)感度元器件(jian)封裝感知力(li)后，其電橋(qiao)輸(shu)入會(hui)造(zao)成轉變(bian) ，轉變(bian) 的(de)幅度過與被測(ce)壓(ya)強成比(bi)(bi)例。電橋(qiao)控(kong)制(zhi)電路原(yuan)理(li)將(jiang)電橋(qiao)的(de)平(ping)衡訊號，轉移(yi)為(wei)額定(ding)電壓(ya)訊號輸(shu)入。